300A/30V alimentazione ad impulso ad alta corrente HCPL030 per prova HEMT SiC/IGBT/GaN
corrente di impulso, 20V@300A e tensione di carico di uscita di impulso ≤ 500, larghezza di impulso di corrente di 50μs-1ms e tempo di aumento di corrente di 10μs, ideale per la prova dei wafer e la prova del tempo di risposta dei sensori ad alta corrente,Benvenuti al nostro sito web!
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300A 30V alimentazione ad impulso sorgente di alta corrente HCPL030 per SiC IGBT GaN HEMT test
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