Sistema di prova C-V per dispositivi semiconduttori 10 Hz-1 MHz

La misurazione della capacità-tensione (C-V) è ampiamente utilizzata per caratterizzare i parametri dei semiconduttori, in particolare nei condensatori MOS (MOS CAP) e nelle strutture MOSFET.La capacità di una struttura metallo-ossido-semiconduttore (MOS) è una funzione della tensione applicataLa curva che raffigura la variazione della capacità con la tensione è chiamata curva C-V (o caratteristiche C-V).

·Spessore dello strato di ossido (dox)

·Concentrazione di doping sul substrato (Nn)

·Densità di carica mobile nell'ossido (Q1)

·Densità di carica fissa dell'ossido (Qfc).

Caratteristiche del prodotto

▪Ampia gamma di frequenze: 10 Hz ∼1 MHz con punti di frequenza regolabili continuamente.

▪Alta precisione e ampio raggio dinamico: raggio di distorsione 0 V ∼ 3500 V con precisione dello 0,1%.

▪Test CV integrato: il software di test CV automatizzato integrato supporta molteplici funzioni, tra cui C-V (capacità-tensione), C-T (capacità-tempo) e C-F (capacità-frequenza).

▪IV Compatibilità di prova: misura simultaneamente le caratteristiche di rottura e il comportamento della corrente di fuga.

▪Grafica delle curve in tempo reale: l'interfaccia software intuitiva visualizza i dati di prova e le curve per il monitoraggio in tempo reale.

▪Alta scalabilità: la progettazione modulare del sistema consente una configurazione flessibile in base alle esigenze di prova.

Parametri del prodotto

Applicazioni

▪Nanomateriali: resistività, mobilità del vettore, concentrazione del vettore, tensione di Hall

▪Materiali flessibili: Prova di trazione/torsione/dobbiamento, tensione-tempo (V-t), corrente-tempo (I-t), resistenza-tempo (R-t), resistenza, sensibilità, capacità di giunzione.

▪Dispositivi discreti:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs(th),Ciss/Coss/Crss (Input/Output/Reverse).

▪Fotodetettori: Corrente scura (ID), Capacità di giunzione (Ct), Voltaggio di rottura inverso (VBR), Rispondenza (R).

▪Celle solari di perovskite: tensione a circuito aperto (VOC), corrente a corto circuito (ISC), potenza massima (Pmax), tensione di potenza massima (Vmax), corrente di potenza massima (Imax), fattore di riempimento (FF), efficienza (η),Resistenza di serie (Rs), resistenza allo shunt (Rsh), capacità di giunzione.

▪LED/OLED/QLED: tensione di avanzamento (VF), corrente di soglia (Ith), tensione inversa (VR), corrente inversa (IR), capacità di giunzione.