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Un buon prezzo.  in linea

Dettagli dei prodotti

Created with Pixso. Casa. Created with Pixso. prodotti Created with Pixso.
Unità di misura di fonte
Created with Pixso. Semiconduttori Fonte di misura Unità 100V 1A 10A Fonte d'impulso Unità di misura P200

Semiconduttori Fonte di misura Unità 100V 1A 10A Fonte d'impulso Unità di misura P200

Marchio: PRECISE INSTRUMENT
Numero di modello: P200
MOQ: 1 unità
Tempo di consegna: 2- 8 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Intervalli V:
300mV-100V
Intervalli I:
Modalità di impulso: 10nA ∆10A Modalità di corrente continua: 10nA ∆1A
Limiti di potenza:
Modalità CC: massimo 30W /Modalità Pulso: massimo 300W
Larghezza di impulso minima:
200 μs
Tasso di campionamento:
100,000 S/S
Imballaggi particolari:
Cartone.
Capacità di alimentazione:
500 SET/MONTH
Evidenziare:

Unità di misura della sorgente dei semiconduttori

,

Unità di misura della sorgente di 100 V

,

Unità di misurazione della fonte di impulsi P200

Descrizione del prodotto

Semiconduttori Fonte di misura Unità 100V 1A 10A Fonte d'impulso Unità di misura P200

Il P200 Benchtop Pulse Source Meter è uno strumento di prova ad alte prestazioni progettato per integrare la misurazione di precisione, l'uscita di ampio raggio dinamico e il funzionamento digitale touch intuitivo.Con un touchscreen da 5 pollici con semplicità simile a quella di uno smartphone, il P200 fornisce una potenza di uscita fino a 100 V e una corrente pulsata di 10 A, supportando un funzionamento a quattro quadranti.serve come strumento versatile per caratterizzare i semiconduttori, nanomateriali, elettronica organica, elettronica stampata e altri componenti su piccola scala a bassa potenza.


Caratteristiche del prodotto

Precisione e affidabilità:La tecnologia di misurazione avanzata garantisce la precisione da 1pA a 10A di correnti pulsate, garantendo dati affidabili per applicazioni critiche.

Interfaccia user-friendly:L'interfaccia grafica semplificata con un touchscreen da 5 pollici semplifica le impostazioni complesse, anche per gli utenti novizi.

Ampia gamma di prova:Copre correnti pulsate di 1pA1A DC e 10A, tensione di 0100V, sensori di supporto, moduli di alimentazione e dispositivi a bassa potenza.

Impulso stabile:Raggiunge una larghezza di impulso minima di 200 μs con un controllo preciso, ideale per i test di semiconduttori ad alta velocità.

Moduli di funzionamento flessibili:Il processo di produzione/sinking bidirezionale di corrente (modi sorgente/sink) simula scenari reali, compresi i test di recupero dell'energia.

Scansione avanzata:Le scansioni lineari, logaritmiche e personalizzate ottimizzano la caratterizzazione IV per materiali o dispositivi con comportamenti non lineari.

Gestione efficiente dei dati:Lo storage USB e la generazione di report con un solo clic semplificano l'analisi e la condivisione dei dati.

Integrazione senza soluzione di continuità:Le interfacce RS-232, GPIB e LAN consentono l'integrazione del sistema ATE e il controllo remoto.


Parametri del prodotto

Articolo 2

Parametri

Intervalli V

300 mV-100V

Intervalli I

Modalità di impulso: 10nA ∆10A Modalità di corrente continua: 10nA ∆1A

Limiti di potenza

Modalità CC: massimo 30W /Modalità Pulso: massimo 300W

Larghezza minima dell'impulso

200 μs

Tasso di campionamento

100,000 S/s

Accuratezza

± 0,1%

Azionamento: polarità di attivazione di I/O configurabile

Polarità del grilletto I/O

Visualizzazione

schermo touchscreen da 5 pollici

Interfacce

RS-232, GPIB, LAN

Immagazzinamento

Supporto USB

Fornitore di energia

100 ̊240 V CA, 50/60 Hz


Applicazioni

Industria dei semiconduttori:Testare le perdite inverse nei diodi, le caratteristiche di commutazione dei MOSFET e le prestazioni ad alta temperatura dei dispositivi SiC per la ricerca e lo sviluppo e il controllo della qualità.

Tecnologia dell'energia e della visualizzazione:Misurare la luminosità, la cromaticità e l'efficienza energetica del LED/AMOLED. Valutazione dei tassi di conversione delle celle solari e dei cicli di carica/scarica della batteria.

Validazione dei sensori:Assicurare la linearità dei sensori di pressione, la sensibilità dei sensori di temperatura e l'affidabilità per l'IoT e l'automazione industriale.

Scienze dei materiali:Caratterizzare l'inchiostro elettronico per i display flessibili, la conducibilità del grafene / nanofili e i semiconduttori organici per l'elettronica di nuova generazione.



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Unità di misura di fonte
Created with Pixso. Semiconduttori Fonte di misura Unità 100V 1A 10A Fonte d'impulso Unità di misura P200

Semiconduttori Fonte di misura Unità 100V 1A 10A Fonte d'impulso Unità di misura P200

Marchio: PRECISE INSTRUMENT
Numero di modello: P200
MOQ: 1 unità
Dettagli dell' imballaggio: Cartone.
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Marca:
PRECISE INSTRUMENT
Numero di modello:
P200
Intervalli V:
300mV-100V
Intervalli I:
Modalità di impulso: 10nA ∆10A Modalità di corrente continua: 10nA ∆1A
Limiti di potenza:
Modalità CC: massimo 30W /Modalità Pulso: massimo 300W
Larghezza di impulso minima:
200 μs
Tasso di campionamento:
100,000 S/S
Quantità di ordine minimo:
1 unità
Imballaggi particolari:
Cartone.
Tempi di consegna:
2- 8 settimane
Termini di pagamento:
T/T
Capacità di alimentazione:
500 SET/MONTH
Evidenziare:

Unità di misura della sorgente dei semiconduttori

,

Unità di misura della sorgente di 100 V

,

Unità di misurazione della fonte di impulsi P200

Descrizione del prodotto

Semiconduttori Fonte di misura Unità 100V 1A 10A Fonte d'impulso Unità di misura P200

Il P200 Benchtop Pulse Source Meter è uno strumento di prova ad alte prestazioni progettato per integrare la misurazione di precisione, l'uscita di ampio raggio dinamico e il funzionamento digitale touch intuitivo.Con un touchscreen da 5 pollici con semplicità simile a quella di uno smartphone, il P200 fornisce una potenza di uscita fino a 100 V e una corrente pulsata di 10 A, supportando un funzionamento a quattro quadranti.serve come strumento versatile per caratterizzare i semiconduttori, nanomateriali, elettronica organica, elettronica stampata e altri componenti su piccola scala a bassa potenza.


Caratteristiche del prodotto

Precisione e affidabilità:La tecnologia di misurazione avanzata garantisce la precisione da 1pA a 10A di correnti pulsate, garantendo dati affidabili per applicazioni critiche.

Interfaccia user-friendly:L'interfaccia grafica semplificata con un touchscreen da 5 pollici semplifica le impostazioni complesse, anche per gli utenti novizi.

Ampia gamma di prova:Copre correnti pulsate di 1pA1A DC e 10A, tensione di 0100V, sensori di supporto, moduli di alimentazione e dispositivi a bassa potenza.

Impulso stabile:Raggiunge una larghezza di impulso minima di 200 μs con un controllo preciso, ideale per i test di semiconduttori ad alta velocità.

Moduli di funzionamento flessibili:Il processo di produzione/sinking bidirezionale di corrente (modi sorgente/sink) simula scenari reali, compresi i test di recupero dell'energia.

Scansione avanzata:Le scansioni lineari, logaritmiche e personalizzate ottimizzano la caratterizzazione IV per materiali o dispositivi con comportamenti non lineari.

Gestione efficiente dei dati:Lo storage USB e la generazione di report con un solo clic semplificano l'analisi e la condivisione dei dati.

Integrazione senza soluzione di continuità:Le interfacce RS-232, GPIB e LAN consentono l'integrazione del sistema ATE e il controllo remoto.


Parametri del prodotto

Articolo 2

Parametri

Intervalli V

300 mV-100V

Intervalli I

Modalità di impulso: 10nA ∆10A Modalità di corrente continua: 10nA ∆1A

Limiti di potenza

Modalità CC: massimo 30W /Modalità Pulso: massimo 300W

Larghezza minima dell'impulso

200 μs

Tasso di campionamento

100,000 S/s

Accuratezza

± 0,1%

Azionamento: polarità di attivazione di I/O configurabile

Polarità del grilletto I/O

Visualizzazione

schermo touchscreen da 5 pollici

Interfacce

RS-232, GPIB, LAN

Immagazzinamento

Supporto USB

Fornitore di energia

100 ̊240 V CA, 50/60 Hz


Applicazioni

Industria dei semiconduttori:Testare le perdite inverse nei diodi, le caratteristiche di commutazione dei MOSFET e le prestazioni ad alta temperatura dei dispositivi SiC per la ricerca e lo sviluppo e il controllo della qualità.

Tecnologia dell'energia e della visualizzazione:Misurare la luminosità, la cromaticità e l'efficienza energetica del LED/AMOLED. Valutazione dei tassi di conversione delle celle solari e dei cicli di carica/scarica della batteria.

Validazione dei sensori:Assicurare la linearità dei sensori di pressione, la sensibilità dei sensori di temperatura e l'affidabilità per l'IoT e l'automazione industriale.

Scienze dei materiali:Caratterizzare l'inchiostro elettronico per i display flessibili, la conducibilità del grafene / nanofili e i semiconduttori organici per l'elettronica di nuova generazione.